Saehan Nanotech Co., Ltd. hat den Vertrag und die Lieferung von SiC- (Siliziumkarbid-) Bearbeitungsanlagen an ein führendes US-Halbleiterunternehmen abgeschlossen und damit den Eintritt in den amerikanischen Markt vollzogen.

Die gelieferte Anlage umfasst eine Multi-Wire-Diamantdrahtsäge, die speziell für das präzise Schneiden von SiC-Ingots in Wafer-Substrate für Leistungshalbleiter konfiguriert wurde.

SiC-Leistungsbauelemente sind kritische Komponenten in Elektrofahrzeugen, industriellen Leistungssystemen und Infrastruktur für erneuerbare Energien. Der globale SiC-Markt wächst rasant, da die Automobilindustrie auf elektrische Antriebsstränge umstellt, was die Nachfrage nach präziser SiC-Wafer-Bearbeitungstechnik antreibt.

Diese Lieferung etabliert die Präsenz von Saehan Nanotech in der globalen Lieferkette für SiC-Leistungsbauelemente und demonstriert die Fähigkeit des Unternehmens, die Qualitäts- und Leistungsstandards führender internationaler Halbleiterhersteller zu erfüllen.